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半导体光刻晶圆片烘烤工艺

发布日期:2018/7/13 10:12:34 点击数:385

                           半导体光刻晶圆片烘烤工艺
   为获得平坦而均匀的光刻胶涂层并使光刻胶与晶片之间有良好的黏附性,通常在涂胶前对晶片进行预处理。预处理第一步常是脱水烘烤,在真空或干燥氮气的机台中,以150~200℃烘烤。工艺目的是除去晶片表面吸附的水分,在此温度下,晶片表面大约保留了一个单分子层的水。 
     涂胶后,晶片须经过一次烘烤,称之软烘或前烘。工艺作用是除去胶中大部分溶剂并使胶的曝光特性固定。通常,软烘时间越短或温度越低会使得胶在显影剂中的溶解速率增加且感光度更高,但对比度会有降低。实际上软烘工艺需要通过优化对比度而保持可接受感光度的试凑法用实验确定,典型的软烘温度是90~100℃,时间从用热板的30秒到用烘箱的30分钟。
   在晶片显影后,为了后面的高能工艺,如离子注入和等离子体刻蚀,也须对晶片进行高温烘烤,称之后烘或硬烘。这一工艺目的在于:减少驻波效应;激发化学增强光刻胶PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。
  本公司COL-系列无尘烘箱系用于半导体制造中硅片、砷化镓、铌酸锂、玻璃等材料涂胶前的预处理烘烤、涂胶后坚膜烘烤和显影后的高温烘烤,强制送风循环方式。双风道循环结构,温度场分布均匀,智能P.I.D温控系统,得到最佳温度控制精度。

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